최근 5년간 특허 출원 연평균 46건으로 4배 증가해
4차 산업 혁명으로 데이터를 빠르고 안전하게 처리하는 기술이 주목받고 있는 가운데, 기존 D램(DRAM)과 플래시 메모리의 장점만을 가지는 스토리지 클래스 메모리 스토리지 클래스 메모리 관련 기술 개발이 활발히 이뤄지고 있는 것으로 나타났다.
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최근 특허청에 따르면, 최근 5년간(’14~’18) 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연평균 46건으로, 그 이전 5년간(’09~’13) 연평균 출원건수인 11건에 비하여 4배 이상 증가한 것으로 나타났다.
스토리지 클래스 메모리는 데이터 처리 속도가 D램과 비슷하면서도, 전원 공급이 중단돼도 데이터가 사라지지 않는 우수한 특성이 있어, 시스템 속도를 10배 이상 빠르게 개선할 수 있다. 스토리지 클래스 메모리를 활용하여 인공지능, 빅데이터, 사물인터넷 등의 상용화와 함께 점점 폭증하는 데이터트래픽을 더욱 빠르고 효율적으로 처리가 가능할 것으로 보인다.
PC, 스마트폰 등에서 사용되는 메모리는 주기억장치인 D램과 보조기억장치인 플래시 메모리로 엄격히 구분되어 왔다. D램은 데이터 처리 속도는 빠르지만 전원공급이 중단될 때 데이터가 사라진다는 단점이 있는 반면, 플래시 메모리는 D램과 반대의 특성을 가지고 있다.
세부 기술별 특허출원 동향을 살펴보면, 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술(58%)이 가장 많고, 스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시 메모리로 사용하는 기술(17%) 순으로 조사됐다.
주기억장치 기술 가장 많아
최근 10년간 출원인별 특허출원 동향을 살펴보면, 메모리 반도체 기술 특성상 기업 및 대학?연구소가 대다수(99%)를 차지하고 있는데, 주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK 하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 순으로 조사됐다. 삼성전자와 SK 하이닉스는 기존 D램 분야에서 축적한 기술적 우위를 바탕으로 스토리지 클래스 메모리를 주기억 장치로 활용하는 방안에 관심을 갖는 반면, 미국의 인텔은 마이크론과 공동 개발한 비휘발성 메모리 기술인 3DXpoint를 활용하여, 주기억 장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하는 연구에 중점을 두고 있는 것으로 보인다.
특허청 이동영 전자부품심사과장은, “D램 및 플래시 메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에게는 스토리지 클래스 메모리 등장이 위기일 수 있다”면서 “이러한 위기를 기회로 바꾸기 위해서는 스토리지 클래스 메모리에 대한 관련 기술 동향 분석 및 연구개발을 지속할 필요가 있다”라고 말했다.
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