로옴, GaN 디바이스 구동 게이트 드라이버 IC 출시

2023-09-21

윤범진 기자, esmaster@elec4.co.kr

IoT 기기의 증가에 따라 수요가 확대되고 있는 서버 시스템 등에서 전원부의 전력 변환 효율 향상이나 장치의 소형화가 중요한 과제로 대두되면서 전력 디바이스의 한차원 높은 진화가 요구되고 있다. 또한, 주변 공간에 대한 3차원 정보를 실시간으로 획득하는 라이다(LiDAR)는 인식 정밀도를 향상시키기 위해 고속 펄스의 레이저 광 조사가 필요하다. 특히 자율주행을 비롯해 산업기기 및 사회 인프라 감시 등의 라이다 애플리케이션에서는 고속 스위칭 디바이스가 필요하다.

로옴(ROHM)이 21일 고속 스위칭 특성이 뛰어난 GaN 디바이스의 성능을 최대화하는 나노초(ns) 구동 게이트 드라이버 IC (제품명 BD2311NVX-LB)를 발표했다.

BD2311NVX-LB
SSON06RX2020
(2mm x 2mm x Max. 0.6mm)

BD2311NVX-LB는 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25 ns의 고속 스위칭을 통해 애플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화를 실현한다. 또한, 독자적인 구동 방식을 채택함으로써 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능을 탑재해 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지한다. 로옴의 GaN 디바이스인 EcoGaN™과 BD2311NVX-LB를 함께 구성하면 세트 설계가 쉽고 애플리케이션 신뢰성을 향상시킬 수 있다고 한다. 애플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있다.

라이다에서의 채택

제품 라인업

헤테로 구조 및 와이드밴드갭 반도체를 연구 중인 대만 국립중앙대학 전기공학과 유밍 신(Yue-ming Hsin ) 교수팀이 BD2311NVX를 테스트한 결과, 다른 드라이버 IC와 비교해 강압 및 승압 컨버터의 1 MHz 스위칭 주파수에서의 턴온 시간이 짧아 스위칭 노이즈가 작음을 확인했다.
로옴은 드라이버 IC의 턴온 시간 단축으로 GaN 디바이스의 장점인 스위칭 손실 저감 특성이 최대로 발휘될 것으로 기대하고 있다.

게이트 드라이버 BD2311NVX 시리즈와 150V GaN HEMT EcoGaN™, 고출력 레이저 다이오드를 탑재한 라이다용 레퍼런스 디자인(구형파 타입 회로: REFLD002-1, 공진 타입 회로: REFLD002-2)을 로옴 웹사이트에서 직접 확인할 수 있다.