트랜스폼, GaN전계효과 트랜지스터 검증 데이터 세트 발표

2019-02-07
박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

생애조기 고장 및 필드 고장 데이터 형태 가용화

트랜스폼(Transphorm Inc.)이 600V 이상 범위의 GaN전계효과 트랜지스터(FET)의 완전한 검증 데이터 세트를 발표했다.

이것은 트랜스폼이 현재까지 25만개 이상의 GaN FET를 출시했다고 2018년 12월 발표한 것을 더 상세하게 설명하는 정보이다. 이는 트랜스폼의 고객들이 지적하는 GaN 디바이스를 선정하는데 영향을 주는 주요 요소로 신뢰성을 구체적으로 제시하는 것이다.

필립 죽(Philip Zuk) 트랜스폼 전세계 기술 마케팅 담당 부사장은 “전력 변환 시장에서 트랜지스터를 검사할 때 보는 세 가지 주요 요소는 품질, 신뢰성, 성능 등이다. 우리는 항상 품질과 신뢰성에 우선순위를 두는 것이 고전압 GaN제품을 성공으로 이끄는 길이라는 생각을 갖고 일했다”며 “전략이 긍정적인 결과를 가져오는데 대해 자부심을 가지며, 기존 및 잠재적 고객이 GaN의 진정한 역량을 이해할 수 있도록 검증 데이터를 발표하는 것이 중요하다고 생각한다”고 설명했다.

검증 데이터 세트를 완성하는 생애조기 고장(Early Life Failure, ELF) 및 필드 고장(Field Failure) 등 두 가지 새로운 데이터 형태가 가용화된 것은 고전압GaN 기술에 또 하나의 주요 이정표를 세운 것이다.

실리콘(Silicon)의 트랜지스터가 성숙된 지 오래 됐고 실리콘 카바이드(SiC)가 개발된 후 10년에 접어들고 있는 상황에서 트랜스폼의 전력 전환 기술은 첫 번째 성숙단계에 있다는 사실에 비춰 볼 때 트랜스폼의 GaN의 신뢰성은 실리콘 및 실리콘 카바이드 등 대안 솔루션의 신뢰성 보다 더 경쟁적이고 이를 능가할 가능성을 보여 주는 것이다.

#반도체 #부품

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