Transphorm, EMI 낮춘 3세대 650V GaN FET 출시

  • 2018-06-07
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

3세대 GaN 전력 변환 플랫폼으로 잡음 여유 증가시켜
최초의 4볼트 임계값 GaN FET 및 새로운 전력 시스템 개발법


Transphorm는 3세대(Gen III) 650V GaN FET의 출시를 발표했다.

Gen III 기술로 제작된 파워 트랜지스터는 전자기 간섭(EMI)을 낮추고 게이트 잡음 여유를 높이며 회로 애플리케이션의 헤드 룸을 향상시킨다.

수상 경력이 있는 플랫폼이 더욱 진화한 이 최신 기술은 현재 생산 중인 또는 곧 출시될 최종 제품 설계를 위해 고객과 협력하는 과정에서 Transphorm 팀이 습득한 지식을 바탕으로 한다. 출시될 Gen III 장치는 표준 TO-247 패키지에서 모두 사용할 수 있는 TP65H050WS 50mΩ FET 및 TP65H035WS 35mΩ FET를 포함한다.

Transphorm은 FET 개발의 각 주요 단계를 실현하는 유일한 GaN 반도체 회사 중 하나이다. 이를 고려할 때 Gen I 및 Gen II 플랫폼과 함께 고객 개발 프로젝트를 통해 얻은 통찰력을 GaN-on-Si 기술에 적용하여 트랜지스터의 품질, 안정성 및 성능을 향상할 수 있다. 수집된 데이터는 설계의 복잡성을 단순화하고 세이프티 마진을 향상시키며 전력 시스템 성능 개발을 가져온다.

Gen III 개발 연구는 GaN 고유의 자체 기술 증가와 FET 성능 향상을 가능하게 하는 새로운 설계 창출을 가져왔다. 또한 디자인과 제작 기술의 혁신으로 Transphorm은 장치 가격을 낮추고 ROI를 더욱 높일 수 있다. 기술적으로 Gen III 장치는 설계 개조 제품과 함께 새로운 MOSFET을 통합하였다. 

결과적으로 스위칭은 더 조용해지고 플랫폼은 단순한 외부 회로로 전류 레벨이 더 증가하여 성능이 개선된다.

학습된 설계 기술과 관련하여 Transphorm은 자사의 app note 0009: Transphorm Gan FET용 추천 외부 회로에서 진동 억제를 위한 명쾌한 솔루션을 발표했다. 예를 들어 DC 링크 RC 스너버와 스위칭 노드 RC 스너버를 사용하면 효율성에 악영향을 미치지 않고 안정성을 높일 수 있다. 특히 이 솔루션은 하프 브리지 및 브리지리스 토템폴 PFC 토폴로지에 도움이 될 수 있다.

Transphorm의 기술 마케팅 부사장인 Philip Zuk는 “고객의 요구와 실제 경험을 토대로 GaN 기술을 발전시키는 것이 중요합니다. Gen III FET는 우리가 그러한 기본 철학을 고수할 때 무엇이 가능한지를 보여줍니다”라고 말했다.
 
이어 Transphorm의 엔지니어링 수석 부사장인 Yifeng Wu는 “우리는 보다 안전하고 비용 효율이 높은 고전압 GaN FET를 개발했습니다. 우리는 고객이 이 트랜지스터가 사용이 편리하고 고효율성, 높은 전력처리능력 및 기타 성능 장점을 갖춘 신전력 반도체로 인식할 것이라고 확신합니다”고 덧붙였다.
 

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