전력 밀도 85% 향상된 30 ~ 150V MOSFET
  • 2015-04-07
  • 편집부

정격 온도가 150 °C인 MOSFET보다 전력 밀도가 최대 85% 향상된 MOSFET이 출시됐다. 공개된 ET MOSFET은 태양열 발전과 같은 높은 온도에서 작동해야 하는 제품에 활용될 수 있는 우수한 내열성과 높은 전력 밀도를 갖췄다. 항공 전자공학, 철도 및 전동 공구 분야와 같은 다양한 범위에 사용될 것이다.

전력 반도체 기업 페어차일드는 제조사들이 제품의 신뢰성과 성능을 향상시킬 수 있도록 하기 위해 기존보다 25 °C 높은 175 °C에서 작동할 수 있는 ET(확장 온도) 중전압(mid-voltage) MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 제품을 출시했다고 지난 3월 17일 밝혔다.

제품은 정격 온도가 150 °C(산업 표준 규격)인 MOSFET과 비교했을 때, 최대 85% 더 높은 전력 밀도와 3배 더 높은 신뢰성을 갖췄다.

새로운 ET MOSFET 제품군은 IPC-9592 전력 변환 표준규격을 충족한다. 최대 접합 온도가 표준 150 °CMOSFET의 경우 125 °C인데 반해 최고 150 °C에 이를 수 있게 돼 설계 시 보다 큰 마진을 가질 수 있게 된 것이다.

새로운 19개의 소자는 5 mm x 6 mm및 3 mm x 3 mm 표준 패키지와 새로운 TO-LL(TO-Leadless) 패키지로 공급된다. 이 소자들은 30 V, 40 V, 60 V, 80 V, 100 V, 120 V 및 150 V를 포함한 매우 다양한 전압 정격으로 제공된다.



우수한 내열성, 더 높은 전력 밀도 및 향상된 신뢰성이 결합된 페어차일드의 ET MOSFET 제품군은 항공 전자공학, 마이크로 태양광 인버터, 전동 공구 및 통신을 포함한 다양한 응용 분야에 사용되는 DC-DC 전원 공 급 장 치 , AC-DC 전원 공급 장치 및 모터드라이브에 이상적이다.

페어차일드의 iFET 제품 담당 수만 나라얀(Suman Narayan) 부사장은 “페어차일드의 광범위한 ET MOSFET라인에 최근 추가된 이번 신제품은 설계자들이 제품 비용과 복잡성을 증가시키는 열 소산용 방열판 혹은 다른 방법에 의존하지 않고 고온을 처리할 수 있도록 제품 설계를 위한 큰 '여유 공간'을 제공한다”며 제품의 장점을 밝혔다. 이어 수만 나라얀 부사장은 “새로운 소자들은 설계자들에게 경쟁사 제품보다 훨씬 큰 설계 마진을 제공하는 솔루션을 공급하는 페어차일드의 성과를 보여준다”고 말했다.

제품은 넓은 온도 범위에서 작동될 수 있을 뿐 아니라, 소형 패키지에서 제공되는 높은 전력 밀도는 제품 설계 과정에서 제조사에 높은 유연성을 제공한다. 이러한 이점으로 인해 설계자들은 동일한 출력을 유지하면서 제품의 크기를 축소하거나, 크기를 늘리지 않고 출력을 증가시킬 수 있게 된다.

페어차일드 관계자는 “175 °C에서 작동할 수 있게 된 신제품 ET MOSFET은 태양열 발전 및 POE(powerover-Ethernet) 응용 분야와 같이 높은 온도에서 작동해야 하는 제품에 적합하다”고 말했다. 이어 “매우 높은 신뢰성을 제공하기 때문에 항공 전자공학, 철도 및 전동 공구 분야를 포함해 다양한 환경에서 사용될 수 있다”며 제품 적용 범위에 대한 다양한 범위를 언급했다.
 

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