NXP 반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 미국 내 5G RF 전력 증폭기 전용 생산 공장 중 가장 최첨단 시설인 150mm(6인치) RF 질화갈륨(GaN) 팹(Fab)을 오픈했다고 발표했다.

신규 자체 공장은 RF 전력 업계 선두주자인 NXP의 전문성과 대량 생산 노하우를 접목해 산업•항공•방산 시장에서 5G 기지국과 첨단 통신 인프라 확충을 지원하는 효율적 혁신을 가능하게 할 것이다.



커트 시버스(Kurt Sievers) NXP 최고경영자(CEO)는 기조연설에서 "오늘은 NXP에 중대한 이정표가 되는 날”이라며 “애리조나에 이렇게 훌륭한 시설을 구축하고 핵심 인재를 활용함으로써 NXP가 차세대 5G 기지국 인프라를 견인하는 일환으로 GaN 기술에 집중할 수 있게 됐다"고 말했다.

5G에서는 안테나당 요구되는 RF 솔루션 밀도가 기하급수적으로 증가했지만, 동일한 박스 크기를 유지하고 전력 소비량을 줄이는 것이 필수적이다. GaN 전력 트랜지스터는 이러한 필수 요건을 충족하기 위한 새로운 기준으로 떠오르면서 전력 밀도와 효율성을 모두 크게 개선하고 있다.

약 20년간 쌓아온 GaN 개발 노하우와 무선통신산업에 대한 광범위한 지식으로 NXP는 차세대 5G 셀룰러 확장을 선도하는 고유한 위치에 올랐다. 최고 품질의 GaN 기기를 NXP 고객에게 제공하기 위해 집중한 결과, GaN 기술의 심도 깊은 최적화를 통해 반도체 전자 트래핑을 개선하여 고효율과 동급 최고의 선형성을 갖추게 되었다.

자체 GaN 팹 구축 전략

NXP의 자체 GaN 팹 구축 전략은 셀룰러 인프라 설계 핵심 역량, 입증된 양산 실적, 전체 품질 공정에서의 일관성과 리더십을 활용하여 더 높은 성능 이점을 달성할 수 있는 능력에 기반해 추진되었다.

NXP 무선 전력 그룹의 폴 하트(Paul Hart) 수석부사장 겸 총괄은 "이번 챈들러 신규 공장 준공은 지난 수십 년 동안 GaN과 통신 인프라 시장에서 노력해 온 NXP의 성과"라며 "오랫동안 우리와 협업을 이어온 고객사들, 그리고 6G 이상까지 확장할 수 있도록 설계되고 준비된 세계 최고 기술의 RF GaN 팹을 만드는데 큰 역할을 해주신 NXP 팀 전체에 감사드린다"고 소감을 전했다.

이 자체 공장은 팹과 현장의 NXP R&D팀 간 협업을 촉진하는 혁신 허브 역할을 하게 된다. NXP 엔지니어들은 현재 및 미래 세대의 GaN 기기를 위한 기술을 더욱 신속하게 개발, 검증 및 보호할 수 있으며, 결과적으로 NXP GaN 기술 혁신에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.