인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 CoolSiC™ MOSFET 1200V 모듈 제품군에 62mm 산업 표준 패키지를 추가한다고 밝혔다.
하프 브리지 토폴로지로 설계된 트렌치 칩 기술 기반의 검증된 62mm 모듈은 250kW부터 시작되는 중간 전력대 애플리케이션에 SiC를 사용할 수 있는 길을 열었다. 실리콘 IGBT 기술은 전력 밀도 한계에 도달하고 있다. 62mm IGBT 모듈과 달리 CoolSiC™ 62mm 모듈은 태양광, 서버, 에너지 저장, EV 충전기, 트랙션, 상업용 인덕션 쿠킹, 전력 변환 시스템 등의 애플리케이션에 사용될 수 있다.
62mm 모듈은 인피니언의 CoolSiC MOSFET을 채택하여 높은 전류 밀도를 달성한다. 스위칭 손실과 전도 손실이 매우 낮아 방열을 최소화하고, 디바이스를 더 높은 스위칭 주파수에서 작동하면 더 작은 수동소자 부품을 사용할 수 있다. 따라서 더 작은 크기의 인버터 디자인을 설계할 수 있고 전반적인 시스템 크기와 비용을 줄일 수 있다.
베이스 플레이트와 스크류 연결로 하우징이 기계적으로 매우 견고하여, 최고의 시스템 가용성, 즉 최소의 수리 비용 및 가동 중단을 가능하게 한다. 열 사이클링 성능이 우수하고 150°C (Tvjop) 연속 동작 온도로 뛰어난 신뢰성을 달성한다.
하우징 내부의 대칭 설계로 상측 스위치와 하측 스위치에 동일한 스위칭 조건이 가능하다. TIM (thermal interface material)을 적용한 모듈을 사용하면 열 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
62mm 패키지 CoolSiC™ MOSFET 1200V 제품은 6mΩ/250A, 3mΩ/357A, 2mΩ/500A 구성으로 제공된다.
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