인피니언, SiC에 650V 제품(CoolSiC™ MOSFET) 추가해

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다.

새롭게 출시되는 CoolSiC™ MOSFET은 점점 증가하는 에너지 효율, 전력 밀도, 견고성에 대한 요구를 충족한다. 적합한 애플리케이션은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리 포메이션, UPS, 모터 드라이브, EV 충전 등이다.



인피니언 전력 관리 및 멀티마켓 사업부의 고전압 변환 담당 스테판 메츠거 (Steffen Metzger) 선임 이사는 “CoolSiC™ 650V 제품을 추가하여 인피니언은 600V/650V 전력대의 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 기반 전력 반도체 포트폴리오를 완성하게 되었다. 인피니언은 세 가지 전력 기술로 다양한 제품을 제공하는 유일한 회사이다. 또한 새로운 CoolSiC 제품군 출시로 인피니언은 산업용 SiC MOSFET 스위치 1위 공급업체로 앞서 나가게 되었다.”고 말했다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품은 27mΩ 부터 107mΩ에 이르는 온-저항 (RDS(ON)) 정격을 갖는다. 표준 TO-247 3핀 뿐만 아니라 TO-247 4핀 패키지로도 제공되어, 스위칭 손실을 더 낮출 수 있다. 기존에 출시된 CoolSiC MOSFET 제품과 마찬가지로, 새로운 650V 제품 역시 인피니언의 최신 트렌치 반도체 기술을 채택하고 있다.

“CoolSiC™ 650V 제품을 추가하여 인피니언은
600V/650V 전력대의 실리콘, 실리콘 카바이드,
갈륨 나이트라이드 기반 전력 반도체 포트폴리오를 완성하게 되었다."

SiC의 뛰어난 물리적 특성을 극대화하여, 뛰어난 신뢰성과 동급 최상의 스위칭 및 전도 손실을 제공한다. 또한 최고의 트랜스컨덕턴스 레벨 (증폭율), 4V 문턱 전압 (Vth), 단락 회로 견고성을 특징으로 한다. 트렌치 기술은 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 가동시에 최고의 신뢰성을 달성한다.

650V CoolSiC MOSFET은 시중의 다른 실리콘 및 실리콘 카바이드 솔루션 대비 고주파수에서 스위칭 효율과 뛰어난 신뢰성 등 매력적인 이점을 제공한다. 온도에 대한 온 상태 저항 (RDS(on)) 종속성이 매우 낮아 열 동작이 우수하다. 견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합하여 매우 낮은 역 복구 전하 (QRR)를 유지하는데, 가장 우수한 수퍼정션 CoolMOS™ MOSFET 대비 약 80퍼센트가 더 낮다. 또한 정류 견고성이 우수하여 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용해서 손쉽게 98퍼센트의 전체 시스템 효율을 달성할 수 있다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품을 사용하여 애플리케이션 설계를 용이하게 하고 최대의 성능을 달성할 수 있도록, 인피니언은 1채널 및 2채널 전기적 절연형 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC를 제공한다. CoolSiC 스위치와 전용 게이트 드라이버 IC를 결합한 솔루션으로 시스템 비용과 총소유비용을 낮추고 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. CoolSiC MOSFET은 인피니언 EiceDRIVER 게이트 드라이버 제품군의 다른 IC와도 원활하게  동작한다.