포화전압(VCEsat) 1.55V로 낮아 전도 성능 우수
전정격 또는 반정격 다이오드나 보호 다이오드 중 선택 가능
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 ST의 최신 TFS(Trench Field Stop) 기술을 활용해 PFC 컨버터, 용접기, 무정전 전원 공급장치(UPS), 태양광 인버터 등의 중고속 애플리케이션에서 효율성과 성능을 향상시키는 650V IGBT 시리즈 HB2를 출시했다. 이 시리즈 제품에는 AEC-Q101 Rev. D 인증을 충족시키는 자동차 등급 디바이스도 포함되어 있다.
STPOWER™ 포트폴리오에 새롭게 추가된 HB2 시리즈는 포화전압(VCEsat)이 1.55V로 낮기 때문에 전도 성능이 뛰어나다. 이와 함께 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소되어 동적 특성(dynamic behavior)이 한층 강화되었다. 열 성능도 탁월하여 안정성과 전원 밀도를 극대화하게 해주는 등, 시장에서 매우 경쟁력 있는 신제품이 됐다.
HB2 시리즈의 IGBT들은 전정격 또는 반정격 다이오드나 우발적인 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중에서 선택할 수 있기 때문에 특정 애플리케이션에 맞게 동작을 최적화할 수 있다.
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