온세미컨덕터, 새로운 산업 및 차량용 SiC MOSFET 디바이스 2종 출시

  • 2019-03-20
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

고효율, 소형 폼 팩터, 견고하고 비용 효율적인 고주파수 설계

온세미컨덕터가 새로운 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 디바이스 2종을 출시했다.

일반 산업용 NTHL080N120SC1 및 차량용(AEC-Q101) NVHL080N120SC1은 와이드밴드갭 기술의 광범위한 성능 이점을 차량용 DC/DC, 전기차의 온보드 충전  시스템, 태양광, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS)등과 같은 고성장 애플리케이션 분야에 사용된다.

   
                       <온세미컨덕터의 NTHL080N120SC1 및 NVHL080N120SC1>

 
또한, 이번 발표를 통해 온세미컨덕터의 포괄적이며 광범위한 SiC 제품군이 한층 강화됐다. 온세미컨덕터는 설계 및 시스템 엔지니어들이 고주파수 회로 개발 문제를 해결할 수 있도록 지원하기 위해 SiC 다이오드와 SiC 드라이버를 포함한 디바이스 시뮬레이션 툴, SPICE 모델, 애플리케이션 정보 등 중요한 리소스를 제공한다.

온세미컨덕터의 1200V, 80mΩ SiC MOSFET은 최신 고주파수 설계 요구사항에 부합하는 견고한 제품이다. 높은 전력 밀도에 고효율 동작을 결합해 더욱 소형화된 디바이스 풋프린트로 운영비와 전체 시스템 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한, 이는 열 관리 필요성이 줄어들어 BOM(Bill of Materials) 비용과 크기, 중량을 더욱 낮출 수 있다는 뜻이기도 하다.

업계 최고 수준의 낮은 누설 전류, 낮은 역 회복 전하를 갖춘 고속 다이오드는 새로운 디바이스의 주요 특징과 관련 설계 이점 중 하나다. 이들은 급격한 전력 손실을 감소시켜주며, 고주파수 운영 및 향상된 전력 밀도를 지원한다. 또한 낮은 Eon 및 Eoff와 빠른 ON/OFF는 전체 전력 손실을 줄여주므로 냉각 요구사항도 감소한다. 낮은 커패시턴스는 매우 높은 주파수에서 스위칭을 가능하게하여 까다로운 EMI 문제를 해소한다. 한편, 높은 서지(surge), 항복 전압(avalanche capability), 단락에 대한 견고함은 전반적인 강선성을 높여 안정성과 총 기대 수명을 향상시킨다.

온세미컨덕터의 새로운 SiC MOSFET 디바이스만의 또 다른 이점은 특허 출원된 터미네이션 구조로, 신뢰성과 견고함을 높여주며 작동 안정성을 향상시킨다. NVHL080N120SC1은 높은 서지 전류를 견딜 수 있도록 설계됐으며, 높은 항복 전압, 단락에 대한 견고성을 제공한다. AEC-Q101 인증을 통한 본 제품은 은 전자 제품의 사용이 늘어나면서 증가하는 차량 내 애플리케이션에서 완벽히 활용될 수 있음을 보장한다. 175°C 최고 작동 온도는 차량용 설계를 비롯해 고밀도 및 공간제약이 주변 온도를 높이는 다른 타깃 애플리케이션에 사용되기 위한 적합성을 향상시킨다.

온세미컨덕터 전력 솔루션 그룹 전력 MOSFET 사업부 부사장 겸 총괄인 개리 스트라커(Gary Straker)는 새로운 SiC MOSFET 디바이스 출시 및 와이드밴드갭 제품군의 전반적 향상에 대해 “가장 중요한 애플리케이션과 현재의 메가 트렌드는 일반적인 실리콘 디바이스 성능을 뛰어 넘는 성능을 요구하고 있다.

새로운 MOSFET 2종 출시로 한층 향상됐으며, 툴과 리소스가 풍부한 지원을 받는 온세미컨덕터의 포괄적 SiC 포트폴리오는 온세미컨덕터가 완벽한 와이드밴드갭 부품 솔루션을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 엔지니어들이 개발 및 디자인-인(design-in) 프로세스를 통해 기대에 부응하며 비용 효율적인, 향상된 수명과 신뢰성을 보이는 솔루션을 개발할 수 있도록 지원함을 의미한다”고 말했다. 


 

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