고속-복구(Fast-Recovery) 바디 다이오드 탑재
극도로 낮은 게이트 전하 및 온저항을 통해 보다 높은 동작 주파수와 효율 달성
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 고속-복구(Fast-Recovery) 바디 다이오드를 탑재한 MDmesh™ DM6 600V MOSFET을 출시했다고 밝혔다.
이 제품은 ST의 최신 수퍼정션(Super-Junction) 기술이 구현하는 성능 상의 이점을 풀 브리지 및 하프 브리지 토폴로지와 ZVS(Zero-Voltage Switching) 위상 변환 컨버터를 비롯해 일반적으로 동적인 dV/dt를 처리할 수 있는 견고한 다이오드가 필요한 애플리케이션 및 토폴로지에 제공해준다.
ST의 첨단 캐리어 수명(Carrier-Lifetime) 제어 기술을 이용한 MDmesh DM6 MOSFET는 프리휠링(Freewheeling) 후 턴오프 시 다이오드의 전력 손실을 최소화하기 위해 역복구(Reverse-Recovery) 시간(trr)을 단축했다.
안정성을 향상시키기 위해 소프트 복구에도 최적화되었다. 경부하에 적합한 커패시턴스 프로파일과 극도로 낮은 게이트 전하(Qg) 및 온저항(RDS(ON))을 통해 열관리를 단순화하고 EMI를 줄임으로써, 보다 높은 동작 주파수와 효율을 달성하게 해준다.
이 새로운 디바이스는 전기차 충전소, 텔레콤이나 데이터센터의 전력 컨버터, 태양광 인버터와 같은 장비에 이상적이며, 보다 견고한 성능과 향상된 전력 밀도를 통해 탁월한 에너지 등급을 실현한다.
STPOWER™ 포트폴리오에 속하는 MDmesh DM6 제품군은 15A에서 72A까지의 전류 등급을 갖춘 23개의 부품으로 구성되어 있으며, 각각 20nC에서 117nC의 게이트 전하(Qg) 범위와 0.240Ω에서 0.036Ω의 RDS(ON)을 제공한다.
정밀한 전류 감지가 필요한 애플리케이션을 위해서는 짧은 리드와 긴 리드 또는 켈빈(Kelvin) 핀을 갖춘 새로운 저인덕턴스 무연 TO-LL, PowerFLAT 8x8 HV, D2PAK, TO-220, TO-247 등 널리 사용되는 전력 패키지 옵션을 다양하게 갖추고 있다.
MDmesh DM6 제품군은 현재 생산 중이며, 가격 및 샘플 요청은 ST한국지사를 통해 확인할 수 있다.
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