로옴, SiC 파워 디바이스 생산 강화 위해 후쿠오카에 건물 증설

  • 2018-04-11
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

신규 건물은 지상 3층, 건축 용적은 약 11,000㎡
2020년에 준공 예정


로옴(ROHM)이 SiC 파워 디바이스의 생산 능력 강화를 위해, 로옴 아폴로 주식회사 치쿠고 공장에 신규 건물을 건설하기로 결정했다.



로옴은 2010년에 SiC 파워 디바이스 (SiC-SBD, SiC-MOSFET)의 양산을 시작한 이후, 세계 최초로 Full SiC 파워 모듈 및 SiC Trech MOSFET의 양산을 개시하는 등, 업계를 리드하는 기술을 개발해 왔다. 한편, 제조면에서도 일관 생산 체제를 구축하여, 웨이퍼의 인치 사이즈업 및 최신 설비를 통한 생산 효율 향상을 위해 노력하고 있다.

전 세계적으로 에너지 대책이 급선무로 요구되는 가운데, 에너지 절약화의 열쇠로서 기대를 모으고 있는 SiC 파워 디바이스의 수요 확대에 대비하기 위해, 로옴 아폴로에 신규 공장 건물을 건설하여, 생산 능력 확대를 도모한다.
 
로옴 그룹은 앞으로도 시장 상황을 파악하여, 생산 능력의 강화를 추진함과 동시에, 다거점 생산 체제 및 재고 관리, 설비의 방재화 등을 철저히 실시하여, 고객에 대한 안정 공급을 위해 노력할 것이다.

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