- 200kHz 스위칭 주파수에서 최대 1,200V, 50A지원
- 전력변환 및 에너지 저장기업의 경우 해당 제품 사용 시 시간과 비용 절약해 제품 출시기간 단축
신호 처리 애플리케이션용 고성능 반도체 분야 기업인 아나로그디바이스가 마이크로세미와 협력하여 200kHz 스위칭 주파수에서 최대 1,200V, 50A를 지원하는 반 브리지(half-bridge) SiC 전력 모듈용 고전력 평가 보드를 업계 최초로 출시했다. 절연 보드는 설계 신뢰도를 높이는 동시에 시제품을 추가로 제작할 필요가 없도록 고안됐다. 이를 사용하면 전력 변환 및 에너지 저장 기업의 경우 시간과 비용을 절약해서 제품 출시 기간을 단축 가능하다.
이번에 출시된 보드는 고객사 솔루션을 완벽히 벤치마크 디버깅할 수 있도록 전브리지(full-bridge)나 다층 컨버터(multi-level converter) 등 더 복잡한 토폴로지의 빌딩 블록으로도 사용될 수 있다. 또, 최종 평가 플랫폼이나 컨버터 같은 구성으로 사용해서 아나로그디바이스의 iCoupler 디지털 절연 기술을 사용한 ADuM4135 절연 게이트 드라이버와 고전력 시스템의 LT3999 DC-DC 드라이버를 완전하게 테스트하고 평가할 수도 있다.
고전력 평가 보드를 통해 마이크로세미의 SiC 전력 모듈에서 공통 테스트 벤치마크가 가능하며, 더 작은 크기와 더 낮은 비용에서 더 높은 전력 밀도를 제공할 수 있다. 이뿐만 아니라 더 높은 효율과 성능, 뛰어난 온도 관리 조건에서 절연 및 전도 기질과 최소 기생 정전용량을 지원한다. 이번에 출시된 보드는 이러한 장점 덕분에 전기자동차 충전, 하이브리드 전기자동차 및 전기자동차의 탑승 중 충전, DC-DC 컨버터, 스위치 모드 전원 공급 장치, 고전력 모터 제어, 항공 작동 시스템, 플라즈마 및 세미 캡 장치(plasma/semi cap equipment), 레이저와 용접, MRI, X-ray 등의 어플리케이션에 적합하다.
제품 기능
- 반 브리지(half-bridge) 토폴로지
- 200kHz에서 1,200V, 5 A
- >100kV/µs CMTI
- 1.2kV 갈바닉 절연
- 독립 하이사이드 및 로우사이드 PWM 입력(테스팅 불감 시간이 70ns인 단일 제어)
- LT3999 1개 + ADuM4135 1개(하이사이드와 로우사이드)
- 전체 테스트를 거친 탈포화 보호(desaturation protection)
- V+, V- 및 AC 위상 연결용의 유도성이 낮은 고전류 터미널
- 표준 SPI 패키지에 내장된 Microsemi 반브리지 SiC 전력 모듈(APTMC120AM20CT1AG와 APTMC120AM55CT1AG) 지원
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