웨스턴디지털, 3D 낸드 기반 플래시 메모리 2종 출시
  • 2017-12-11
  • 오민준 기자, mjoh@elec4.co.kr

모바일 시장 겨냥한 새로운 iNAND 임베디드 플래시 드라이브
한국과 중국, 일본 모바일 시장에서 UFS 메모리 사용 증가 전망

 

웨스턴디지털이 모바일 시장을 겨냥한 새로운 iNAND 임베디드 플래시 드라이브(Embedded Flash Drive, 이하 EFD) 포트폴리오인 iNAND 8521 EFD와 iNAND 7550 EFD를 공개했다.

웨스턴디지털은 11일 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 ‘모바일 데이터의 미래와 전략’을 주제로 미디어 브리핑을 진행해 현재 모바일 시장의 데이터 증가 현황을 소개하고 이에 대응할 수 있는 iNAND 임베디드 플래시 드라이브 제품을 소개했다.
 

▲ 발표를 진행한 웨스턴디지털코퍼레이션 이성배 상무

웨스턴디지털은 시장조사기관인 카운터포인트 리서치의 자료를 인용해 2018년 스마트폰의 평균 용량이 60GB에 이를 것이라면서 스마트폰 콘텐츠인 비디오와 사진 모두 고화질화가 진행되고 있고, 애플리케이션 또한 많은 용량이 필요하다고 밝혔다. 이렇게 급증하는 모바일 기기의 데이터 용량 요구에 맞춰 웨스턴디지털은 성능, 수명, 데이터 보존성까지 고려해 iNAND 임베디드 플래시 드라이브 제품을 출시하게 되었다고 설명했다.

새로 출시된 제품은 웨스턴디지털이 처음으로 범용플래시메모리(UFS) 인터페이스를 채택한 iNAND 8521 EFD와 임베디드플래시드라이브(e.MMC) 인터페이스를 채택한 iNAND 7550 EFD이다.

먼저 iNAND 8521 EFD는 데이터 사용량이 많은 유저들을 위한 플래그십 모바일 디바이스에 최적화된 제품으로, 첨단 규격인 UFS 2.1 인터페이스를 채택했다. 여기에 64단 3D 낸드 기술을 기반으로 셀 간섭 영향을 최소화했고, 메모리 내부에 고정 버퍼(SLC)를 내장해 속도를 높이는 스마트SLC(Smart Single Level Cell) 5세대 기술이 적용됐다. 이를 통해 순차쓰기 최대 500 MB/s, 랜덤쓰기 45,000 IOPS(초당 입출력 처리량) 수준의 빠른 속도를 제공한다.
 

▲ 속도 비교

▲ 수명 비교

iNAND 7550 EFD는 e.MCC 5.1 인터페이스를 채택한 제품으로 뛰어난 가성비를 제공한다. 순차쓰기 속도 최대 260MB/s, 랜덤읽기 속도 20,000 IOPS 및 랜덤쓰기 속도 15,000 IOPS를 제공하는 최신 e.MMC 인터페이스 기반의 iNAND EFD 제품이다. 이런 속도는 이전 제품과 비교해 순차쓰기 60%, 랜덤읽기 150%, 랜덤쓰기 275%가 향상된 것이다. 4세대 스마트SLC 기술이 적용되었고, 이전 세배보다 80% 더 늘어난 TBW(총쓰기수명)을 통해 더 뛰어난 내구성을 자랑한다.

웨스턴디지털은 2018년 한국과 중국, 일본 모바일 시장에서 UFS 메모리 사용이 많아질 것으로 예측해 iNAND 8521 EFD을 선보였다면서 iNAND 7550은 인도 및 아프리카 시장에서 수요가 많을 것이라고 전망했다.

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