ST, 공간절감, 설계 간소화, 원활한 어셈블리 지원

MOSFET, 게이트 드라이버, 보호회로 통합한 완벽한 풀-브리지 SiP
  • 2017-12-08
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에게 기여하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 완벽한 600V/8A 단상 MOSFET 풀 브리지를 통합한 13 x 11mm 크기의 PWD13F60 SiP(System-in-Package)를 출시했다.  이 디바이스는 산업용 모터 드라이브, 램프 안정기, 전원공급장치, 컨버터, 인버터의 보드 공간을 줄이고 재료비를 절감해준다.

PWD13F60은 디스크리트 부품으로 구현된 다른 동급 회로에 비해 풋프린트가 60% 더 작기 때문에 최종 애플리케이션의 전력 밀도를 향상시킬 수 있다. 4개의 전력 MOSFET을 통합하여 시장에 공급되고 있는 일반적인 듀얼-FET 하프-브리지나 6-FET 3-상 디바이스와 같은 모듈을 효율적으로 대체하는 독보적인 솔루션이다. 이러한 통합 기능 대신, 내부 MOSFET을 사용하지 않고 PWD13F60 하나만 사용해 단상 풀-브리지를 구현할 수도 있다. 이 모듈은 풀-브리지 한 개나 하프-브리지 2개로도 유연하게 구성할 수 있다.

 
ST의 고전압 BCD6s-Offline 제조공정을 적용한 PWD13F60은 전력 MOSFET을 위한 게이트 드라이버와 하이-사이드 구동에 필요한 부트스트랩 다이오드를 통합하고 있기 때문에 외부 부품을 사용할 필요가 없어 보드 설계를 간소화하고 어셈블리를 손쉽게 구현한다. 이 게이트 드라이버는 안정적인 스위칭과 낮은 EMI(Electromagnetic Interference)에 최적화돼 있다. 또한 SiP는 Cross-conduction protection과 UVLO(Under-Voltage Lockout)를 갖춰 시스템의 안전을 보장하는 동시에 풋프린트를 최소화할 수 있다.

이외에 PWD13F60은 6.5V까지의 폭넓은 구동 전압 범위는 설계를 간소화하고 유연성을 극대화한다. 또한 SiP 입력은 3.3 ~ 15V까지 로직 신호를 받을 수 있어 마이크로컨트롤러(MCU) 및 DSP(Digital Signal Processor), 또는 홀(Hall) 센서와 간편하게 인터페이스 할 수 있다.

PWD13F60은 현재 열 효율이 우수한 멀티-아일랜드(Multi-Island) VFQFPN 패키지로 구매가 가능하며, 가격은 1,000개 당 2.65달러에서 시작한다.

 

 

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