로옴, 1Mbit FeRAM 2종 양산 개시

  • 2017-10-27
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

1.8V에서 3.6V의 넓은 범위에서 40MHz 고속 동작, IoT 기기의 고신뢰화에 한층 더 기여

로옴 (www.rohm.co.kr) 그룹 라피스 세미컨덕터 (www.lapis-semi.com/kr)는 고속 ㆍ 고빈도 (高頻度)의 로그 데이터 취득 및 긴급 시의 고속 데이터 백업이 필요한 스마트미터 / 계측기기 / 의료기기 / 금융 단말기용으로 1Mbit 강유전체 메모리 (이하, FeRAM) 「MR45V100A / MR44V100A」를 개발해, 12월부터 양산 출하를 개시할 예정이다.

 

MR45V100A는 SPI주2 BUS 제품으로, 1.8V~3.6V의 넓은 전원전압 범위에서 40MHz의 고속 동작을 실현한다. 이에 따라, 대용량 1Mbit 시, 전력 환경이 불안정한 지역에서 갑작스러운 전압 저하가 발생해도 안정된 고속 동작이 가능하여, 탑재 장치의 고속 데이터 백업에 의해 신뢰성 향상에 기여한다. MR44V100A는 I2C BUS 제품으로, 속도에 관계 없는 어플리케이션에 최적이다.

또한, 모바일기기의 데이터 대용량화에 따른 소비전력 증가를 억제하기 위해 스탠바이 (대기) 모드를 개선함과 동시에, 라피스의 FeRAM으로는 처음으로 슬립 (휴지) 모드를 탑재했다. 1Mbit FeRAM에서 업계 최소 수준의 스탠바이 전류 10A (평균)와 슬립 전류 0.1A (평균)를 각각 실현해, 배터리 구동 시간이 중요시되는 결제 단말기 및 데이터 로거 등의 휴대용 단말기 및 모바일기기에도 전개가 가능하다.

본 제품은 현재 샘플 출하 중이며, 12월부터 양산 출하를 개시할 예정이다. 생산 거점은 전공정 로옴 본사 (교토), 후공정 ROHM Electronics Philippines, Inc. (필리핀)이다.

 

<배경>
비휘발성 메모리 FeRAM은 EEPROM 및 플래시 메모리 등의 비휘발성 메모리에 비해 「고속 데이터 갱신」「고속 리라이트 내성」「저소비전력」이라는 특징이 있다.

 

라피스 세미컨덕터는 로옴의 강유전체 메모리 제조 기술과 라피스의 메모리 개발 기술을 융합하여, 2011년부터 다양한 용량과 인터페이스의 FeRAM을 개발했다. 비휘발성으로 고속 및 고빈도의 데이터 갱신을 필요로 하는 다기능 프린터, 차량용 액세서리, FA(Factory Automation) 기기 등에 채용되어 왔다.

최근 전자기기에서는 데이터의 대규모화, 저소비전력화, 모바일화, 순간적인 정전 등의 긴급 시를 포함한 데이터 보안 향상이 요구되고 있다. 라피스 세미컨덕터는 이러한 시장 요구에 대응하기 위해 대용량화, 넓은 전원전압 범위와 고속 동작의 양립, 대기 / 휴지 시를 포함한 저전력화를 실시하여, 배터리 구동 모바일기기 및 휴대용 단말기 등으로 전개가 기대되는 FeRAM을 개발했다.

 


 

 

 

<특징>
1. 1.8V~3.6V의 넓은 범위에서 40MHz 동작 가능
FeRAM은 EEPROM 및 플래시 메모리 등의 비휘발성 메모리에 비해 고속 데이터 갱신 및 저전압 동작이 가능하여, 순간적인 전압 저하 ㆍ 정전 시, 기록중인 데이터가 손실될 우려가 적다는 점이 특징이다.

 

MR45V100A는 SPI BUS 제품으로, 당사 기존품인 64Kbit FeRAM 「MR45V064B」와 동일한 1.8V~3.6V의 전원전압 범위에서 40MHz 동작을 보증하고, 성능을 그대로 유지함과 동시에 1Mbit의 대용량화를 실현했다. 이에 따라 높은 보안이 요구되는 용도에서 별도의 교체 절차 없이도, 대용량 데이터를 취급할 수 있게 된다.

 


 

 

 

2. 대용량 FeRAM으로 업계 최소 수준의 대기 / 휴지 전류 (休止電流)
전자기기에서는 저소비전력화에 대한 요구가 높아지고 있다. 이에 대한 대응의 일례로서, 시스템 가동 중에 동작하지 않아도 되는 부품을 저소비 모드로 전환하여, 기기 전체의 평균 소비전력을 삭감하는 등의 방법이 사용되고 있다.

 

MR45V100A   / MR44V100A는 데이터의 대용량화에 따른 소비전력 증가를 억제하기 위해 하기의 특징을 통해 전자기기의 시스템 전력 저감에 대응한다.

 

①스탠바이 모드를 개선하여, 1Mbit FeRAM으로 업계 최소 수준의 스탠바이 전류 10?A 달성
스탠바이 (대기) 모드 시에는 동작하지 않아도 되는 회로의 전원을 철저히 차단하고, 동작 복귀 시에는 필요한 부분만 고속으로 초기화하여, 복귀 시 동작을 신속하게 처리할 수 있다. 이에 따라, 평균 10μA라는 1Mbit FeRAM으로는 업계 최소 수준의 스탠바이 전류를 달성했다.

 

 


 

 

 

 

②슬립 모드를 탑재하여 업계 최소 수준의 슬립 전류 0.1?A와 슬립 모드 복귀 시간 실현
기존의 스탠바이 (대기) 모드보다 현격하게 저전력화가 가능한 슬립 모드를 라피스 세미컨덕터에서 최초로 탑재했다. 이에 따라, 슬립 모드시의 소비전류를 업계 최소 수준인 평균 0.1μA로 달성했다. 또한, 슬립 모드에서의 복귀 시간을 업계 최단시간인 100μs로 달성하여, 휴지 시간이 짧거나, 갑작스러운 동작 재개가 필요한 용도에서도 슬립 모드를 적용할 수 있다.

 

 

응용 분야
OA기기, 산업기기, 방송기기, 차량용 액세서리, 의료기기, 배터리 구동 기기 

 

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