인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 로직 레벨 IR MOSFET™ 제품군을 출시했다. 60V, 80V, 100V의 3가지 전압대의 이들 제품은 2×2 mm PQFN 패키지로 제공되므로, 크기가 중요한 무선 충전, 어댑터, 텔레콤 애플리케이션에 적합하다. 소형 패키지로 더 높은 전력 밀도와 향상된 효율을 달성하여, 공간을 절약하고 부품 수를 줄이며 전체적인 시스템 비용을 낮춘다.
PQFN 패키지로 제공되는 새로운 IR MOSFET 제품은 경쟁 제품 대비 11~40%까지 더 낮은 RDS(on)을 제공한다. 극히 낮은 게이트 전하(Qg)는 전도 손실을 높이지 않으면서 스위칭 손실을 낮춘다. 또한 출력 커패시턴스(COSS)와 역 복구 전하(Qrr)가 최적화됐으며 FOMg(RDS(on)×Qg/gd)이 향상됐다. 그럼으로써 IR MOSFET 제품은 공진 무선 충전 애플리케이션에 요구되는 최대 6.78 MHz의 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있다. 또한 로직 레벨 게이트 구동은 게이트 임계 전압(VGS(th))이 낮으므로 MOSFET을 5V로 구동할 수 있어 마이크로컨트롤러로 직접 구동할 수 있다.
IR MOSFET 제품군의 60V 및 80V 제품은 공급 중이며, 100V 제품은 개발 중이다.
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