텍트로닉스, 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템 발표
고속 전 자동 웨이퍼 수준 파라미터 테스트 솔루션

  • 2016-10-31
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

- 최대 3 kV의 인가 전압으로 SiC 및 GaN 등 최신 전력 반도체 소자 테스트 지원

측정 솔루션 분야의 세계적인 선도기업 텍트로닉스가 28일 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템을 발표했다. 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템은 최대 3 kV의 전력 반도체 소자 및 반도체 구조의 웨이퍼 수준 테스트를 위한 완전 자동 48핀 파라미터 테스트 시스템이다.

SiC(탄화 규소) 및 GaN(질화 갈륨)을 포함한 최신 화합물 전력 반도체 재료용으로 최적화된 완전 통합형 S540은 모든 고전압, 저전압 및 커패시턴스 테스트를 한번의 프로브 터치로 측정할 수 있다.

전력 반도체 소자에 대한 수요가 계속 증가하고 SiC와 GaN의 상용화가 확산됨에 따라 제조업체들은 수율을 최적화하고 수익성을 개선하기 위해 양산 공정에 웨이퍼 수준 테스트를 도입하고 있다. 이러한 애플리케이션을 위해 S540은 테스트 시간과 테스트 설정 시간, 점유 공간을 최소화함으로써 소유 비용을 낮추는 동시에 실험실 등급의 고전압 측정 성능까지 제공한다.

 

텍트로닉스 키슬리 제품군의 총 책임자인 마이크 플래어티(Mike Flaherty)는 “많은 제조 시설이 전력 반도체 테스트를 위해 맞춤형으로 제작된 하이브리드 테스트 시스템을 사용 중인데 이 경우 저전압에서 고전압 테스트로 전환할 때 수동으로 테스트 설정을 변경해야 한다. 이는 공정 단계 추가로 이어지고 따라서 생산 속도도 늦어진다”며 “반면 S540은 수많은 소자를 신속하게 테스트해야 하는 생산 환경에 적합한, 모든 요소를 갖춘 완전 통합 솔루션”이라고 말했다.

S540은 양산을 높이기 위해 케이블 또는 프로브 카드 인프라 변경 없이 최대 48개 핀에서 파라미터 측정을 수행할 수 있다. 또한 최대 3 kV까지 Ciss, Coss 및 Crss와 같은 트랜지스터 커패시턴스 측정도 수행할 수 있으며 이 경우에도 마찬가지로 테스트 핀의 수동 재구성이 필요 없다. S540은 테스트 출력 속도를 더욱 높이기 위해 0.1 pA의 측정 성능을 제공하며 완전 자동화된 고전압 누설 전류(Leakage Test) 테스트를 1초 미만에 수행할 수 있다.

표준 상용 제품인 S540은 자체 제작 또는 맞춤형 시스템과는 차별화 되는 완벽한 추적 가능한 시스템 사양과 안전 인증, 진단 및 전세계 서비스와 지원을 제공한다. S540은 30년 이상 축적된 키슬리의 반도체 파라미터 테스트 전문 기술을 활용하며 업계를 선도하는 반도체 테스트 장비를 저·고전압 스위칭 매트릭스, 케이블 구성, 프로브 카드 어댑터, 프로브 드라이버 및 테스트 소프트웨어와 안정적이고 완벽하게 호환한다.

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