로옴 그룹의 라피스 반도체(LAPIS Semiconductor)가 64 Kbit FeRAM(강유전체 메모리) ‘MR44V064B/MR45 V064B’를 개발했다. 빈도가 높은 로그 데이터 취득 및 긴급 시 고속 데이터 백업이 필요한 스마트 미터, 헬스케어기기, 자동차 내비게이션 등에 적합한 시리얼 BUS를 탑재한 제품이다. 

차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 FeRAM은 일반적인 비휘발성 메모리에 비해 ▲ 고속 데이터 재기록(Rewrite) ▲ 높은 재기록 내성 ▲ 저소비전력이라는 특징을 갖추고 있다. 이를 통해 애플리케이션의 저전력화 및 고기능화를 실현시킨다.

이 제품은 높은 수준의 최저 동작 전압 1.8 V를 실현시켜 니켈 수소 전지 2개로도 FeRAM을 사용할 수 있다. AAA충전지 2개로 약 11년 동안 재기록(1초당 64Kbit 재기록 시)이 가능하다. 애플리케이션의 장시간 구동에 기여하며 포터블 기기 및 IoT 분야에도 적용할 수 있다.

라피스 반도체 측은 “자사의 저전력 대응 강유전체 탑재 프로세스 기술과 저전압하에서의 메모리 선택 트랜지스터의 게이트 전위를 확보함으로써 최저 동작 전압 1.8 V를 실현시켰다”며 “이로써 니켈 수소 충전지 2개로 메모리를 사용할 수 있게 됐다”고 설명했다.

제품의 최대 동작 주파수는 40 MHz(SPI BUS)까지 대응한다. 64 Kbit의 데이터 재기록 시간을 1.64 msec로 실행 가능해 시스템 이상 시 초고속 백업을 통해 높은 데이터 신뢰성을 실현시킨다.

라피스 반도체 측은 “64 Kbit의 데이터 재기록 시간이 1.64 msec에 불과해 정전과 같은 예상치 못한 전압 저하가 발생해도 전원이 끊기기 전에 데이터를 백업할 수 있다”며 “데이터 손실 리스크가 매우 낮으며, 정전에 대비해 전원 공급을 연장하는 부품을 배치할 필요가 없다”고 전했다. 고속성과 더불어 데이터 보존의 높은 보안성이 요구되는 용도에 적합하다.

시리얼 BUS가 다른 2종류(I2C BUS, SPI BUS)의 제품을 구비해 고객의 시스템 사양에 따라 대응도 가능하다.

라피스 반도체 측은 “시스템의 저전압화, 메모리의 고속 저장이 중요해짐에 따라 자사 메모리 설계 기술과 로옴의 강유전체 메모리 제조 기술을 융합해 2011년부터 FeRAM 시리즈를 개발해왔다”며 “저전력 고성능 제품을 지속 개발해 다양한 용량 및 인터페이스로 상품 라인업을 확충해 나갈 것”이라고 전했다.

제품은 올 1월부터 양산 출하를 개시했다. 세금을 미포함한 샘플 1개의 가격은 500엔이다. 월 50만 개 양산된다. 전공정은 로옴 본사 공장(교토)에서 후공정은 ROHM Electronics Philippines, Inc.(필리핀)에서 이뤄진다.