- CMOS 스케일링의 주요 분야 중 2개 영역에서 큰 기술적 공헌 인정 받아

- IEEE, 전 세계 40만 명의 회원 보유한 최대 규모의 국제학술단체

어플라이드머티어리얼즈는 자사의 대외산학협력 연구를 담당하는 청핑창(Chorng-Ping Chang) 박사가 집적회로(IC)의 제조에 지대한 영향을 끼친 ‘CMOS 기술에서의 대체 게이트 공정과 STI(Shallow Trench Isolation) 공정’에 관한 공헌을 인정받아 2016년 국제전기전자공학회(IEEE) 석학회원(Fellow)으로 선정됐다고 밝혔다.

IEEE는 전기?전자?컴퓨터?통신 분야에서 175개국 40만 명의 회원을 보유한 세계 최대 규모 학술단체이다. IEEE 회원의 최고 등급인 석학회원은 400여 명으로, 탁월한 연구개발 업적을 통해 기술발전에 크게 기여한 회원을 대상으로 수여한다. 매년 회원수의 0.1%만이 석학회원의 영예를 안는다.

어플라이드머티어리얼즈의 옴 날라마수(Om Nalamasu)수석부사장 겸 최고기술경영자(CTO)는 “창 박사는 일반 반도체 제조공정에서 CMOS스케일링 기술에서 새로운 기술을 채택하는 것뿐만 아니라, 전자기기의 성능과 기능성에도 큰 기여를 했다.”고 말했다. 또한 “대학들과 컨소시엄을 구성해 협력을 이끈 노력과 석학회원으로 선정된 명예에 대해서도 자랑스럽게 생각한다.”고 덧붙였다.

창 박사 연구팀은 게이트퍼스트(gate first) 공정에서 게이트라스트(gate last) 공정으로의 변화, 즉 대체게이트 공정을 이루어냈다. 오늘날 3차원 트랜지스터 구조인 핀펫(FinFET) 공정을 포함한 거의 모든 최첨단 CMOS 논리회로들이 대체게이트 공정을 적용하고 있다.

창 박사 연구팀은 또한 STI(Shallow Trench Isolation, 얕은 트랜치 소자분리) 공정에서도 기술적 발전을 이루기도 했다. 창 박사는 트렌치 코너의 상단부 모양을 변화시키는 것이 결함발생 빈도, 접합부 누설, 역치전압(반도체 소자가 동작을 시작하는 전압)조절 문제를 해결하는 연구를 이끌었다. 최근 도입된 CMOS의 주요 공정기술이 창 박사 연구팀으로부터 개발된 STI 공정의 코너 공학 기술을 사용해 온 것으로 보아, STI 공정이 CMOS 제조에 장기적인 영향을 미칠 것으로 보인다.

창 박사는 12년간 국제전기전자공학회 전자소자 (IEEE Electron Device Letters)의 편집장을 맡으며 학회 발전에 기여했다. 집적회로(IC)에 대한 국제기술회의의 프로그램 위원회 멤버로 활동하기도 했으며, 현재 국제반도체기술로드맵(ITRS)에서 프로세스, 통합, 장치 및 구조 지부의  미국 의장을 맡고 있다. 창 박사는 국립칭화대학에서 학사, 미국 캘리포니아 버클리대에서 공학 박사학위를 취득했다.